우수한 AIN 화합물 반도체 소재 기업
L&D INC.Our Product
AlN-Template on Sapphire
For UVC LED & UVC Sensors
2inch AlN on Sapphire Template
2inch AlGaN on AlN/Sapphire Template
2inch AlN on Sapphire Template
2inch AlGaN on AlN/Sapphire Template
4inch AlN on Sapphire Template
4inch AlN on SiC Template
4inch AlN on Sapphire Template
4inch AlN on SiC Template
High Performance
TEM Image
AFM Data
Our Technology
고온-MOCVD 설계 기술
에피 웨이퍼 생산 필수 장비 MOCVD 설계
L&D's Vision
Commercial structure
GaN-Buffer layer
L&D,
대체
L&D’s structure
AIN-Buffer layer
Uses of AIN-Template
Key properties of AIN (vs. other materials)
| Material | Thermal Expansion Coefficient (ppm/°K) | Thermal Conductivity (W/㎝·°K) |
|---|---|---|
| GaN : gallium nitride | 5.6 | 1.3 |
| AIN : aluminum nitride | 4.3 | 2.8 |
| Si(111) : silicon | 3.6 | 1.5 |
| SiC : silicon carbide | 4.2 | 3.9 |
MOCVD System
- Batch size
- 8pcs/4” ,18pcs/2” (HT-MOCVD)
- Growth temperature
- 1400°C or lower
about MOCVD
A type of chemical vapor deposition (CVD) technologies forming a thin film over the surface of high temperature substrate
Patent registration and application status
| Registration date | Title of the rights | Registration number |
|---|---|---|
| 2014. 06 | Multi Chamber Substrate Processing Apparatus using Robot for Transferring Substrate | 10-1409752 |
| 2017. 08 | Shower head and device for manufacturing a semiconductor substrate having the same | 10-1765754 |
| 2016. 12 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS | TW.I560797 |
| 2017. 05 | CHEMICAL VATPOR DEPOSITION APPARATUS WITH HEAT SHIELD | ZL201210295798.8 |
| 2021.11 | Active semiconductor devices | 10-2021-0156634 (Application number) |
Company
L&D Inc.
L&D전자는 반도체 산업 30년 이상의 경력을 지닌
전문 인력들이 모여 결성한 에피택셜 웨이퍼 전문기업입니다.
향후 높은 수요가 기대되는 전력소자 및 UVC광의 핵심 소재인
화합물 반도체 에피웨이퍼를 통해 마켓 리딩기업을 목표하고 있습니다.
Company profile
- 기업명
- L&D전자 주식회사
- 주요사업
-
AIN기반 화합물반도체 에피웨이퍼 생산
에피택셜 웨이퍼 성장 및 생산 관련기술 개발
- Contact
- talk@lnd35.com
+82 42 382 3335
Locations
- 본사
- 연구소
대전광역시 유성구 대학로 179, 302(대전 스타트업 파크)
대구광역시 북구 대학로 80 (경북대 대구캠퍼스 반도체융합연구동)