L&D INC. Layer & Device L&D INC. 기술 시장을 선도하는
우수한 AIN 화합물 반도체 소재 기업

L&D INC.Our Product

AlN-Template on Sapphire

For UVC LED & UVC Sensors

2inch AlN on Sapphire Template

2inch AlN on Sapphire Template

2inch AlGaN on AlN/Sapphire Template

2inch AlGaN on AlN/Sapphire Template

AIN on Sapphire 2”

2inch AlN on Sapphire Template

실사 이미지 사용
AIN on Sapphire 2”

2inch AlGaN on AlN/Sapphire Template

실사 이미지 사용
4inch AlN on Sapphire Template

4inch AlN on Sapphire Template

4inch AlN on SiC Template

4inch AlN on SiC Template

4inch AlN on Sapphire Template

4inch AlN on Sapphire Template

4inch AlN on Sapphire Template
4inch AlN on SiC Template”

4inch AlN on SiC Template

4inch AlN on SiC Template

High Performance

TEM Image

TEM Image

AFM Data

AFM Data

Our Technology

Using the own designed high temperature MOCVD.

에피 웨이퍼 생산 필수 장비 MOCVD 설계

L&D's Vision

GaN devicesGaN devices
GaN-Buffer layer

Commercial structure

GaN-Buffer layer

L&D,
대체

AIN-Buffer layer

L&D’s structure

AIN-Buffer layer

Uses of AIN-Template

Uses of AIN-Template Uses of AIN-Template

Key properties of AIN (vs. other materials)

Material Thermal Expansion Coefficient (ppm/°K) Thermal Conductivity (W/㎝·°K)
GaN : gallium nitride 5.6 1.3
AIN : aluminum nitride 4.3 2.8
Si(111) : silicon 3.6 1.5
SiC : silicon carbide 4.2 3.9
MOCVD System

MOCVD System

Batch size
8pcs/4” ,18pcs/2” (HT-MOCVD)
Growth temperature
1400°C or lower

about MOCVD

A type of chemical vapor deposition (CVD) technologies forming a thin film over the surface of high temperature substrate

Patent registration and application status

Registration date Title of the rights Registration number
2014. 06 Multi Chamber Substrate Processing Apparatus using Robot for Transferring Substrate 10-1409752
2017. 08 Shower head and device for manufacturing a semiconductor substrate having the same 10-1765754
2016. 12 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS TW.I560797
2017. 05 CHEMICAL VATPOR DEPOSITION APPARATUS WITH HEAT SHIELD ZL201210295798.8
2021.11 Active semiconductor devices 10-2021-0156634
(Application number)

Company

L&D Inc.

L&D전자는 반도체 산업 30년 이상의 경력을 지닌
전문 인력들이 모여 결성한 에피택셜 웨이퍼 전문기업입니다.

향후 높은 수요가 기대되는 전력소자 및 UVC광의 핵심 소재인
화합물 반도체 에피웨이퍼를 통해 마켓 리딩기업을 목표하고 있습니다.

Company profile

기업명
L&D전자 주식회사
주요사업

AIN기반 화합물반도체 에피웨이퍼 생산

에피택셜 웨이퍼 성장 및 생산 관련기술 개발

Contact
talk@lnd35.com
+82 42 382 3335

Locations

  • 본사
  • 연구소

대전광역시 유성구 대학로 179, 302(대전 스타트업 파크)

대구광역시 북구 대학로 80 (경북대 대구캠퍼스 반도체융합연구동)

L&D INC.Contact Us

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    – 보존 기간 : 5년
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